Qualcomm đang phát triển chip di động siêu mạnh

12/10/2017 09:25:08

Mẫu chip Snapdragon 855 được tích hợp nhiều công nghệ và tính năng mới, có hiệu năng cao hơn nhiều so với mẫu chip di động hiện tại của Qualcomm. 

Snapdragon 855 sẽ được tích hợp cho Galaxy S10 dự kiến ra mắt năm 2019. Sang năm tới, Galaxy S9 sẽ sử dụng chip di động thế hệ kế tiếp Snapdragon 845.


GizmoChina dẫn lời nguồn tin thân cận với Qualcomm cho biết Snapdragon 855 sẽ được sản xuất trên dây chuyền công nghệ 7nm và có mức tiêu thụ điện năng hiệu quả hơn nhiều so với mẫu chip tiền nhiệm.

Nếu Snapdragon 855 ra mắt năm 2019, nhiều khả năng chip A13 sẽ được sử dụng cho các mẫu iPhone ra mắt năm 2019 và dùng công nghệ 7nm.


Chip Snapdragon 845 năm tới sẽ được sản xuất trên dây chuyền công nghệ 10nm và sử dụng độc quyền cho dòng Galaxy S9 nửa đầu năm 2018.

Chip mới sẽ hỗ trợ tính năng quét vân tay siêu thanh tích hợp thẳng vào màn hình. Công nghệ này sẽ giúp tạo sự đột phá cho các mẫu smartphone mới.


iPhone X từng được cho sử dụng cảm biến Touch ID siêu thanh dưới màn hình. Tuy nhiên, sau đó Apple đã thay thế bằng công nghệ Face ID tiên tiến hơn.

Một số mẫu điện thoại Android cao cấp ra mắt năm tới được kỳ vọng sẽ tích hợp thẳng cảm biến vân tay vào màn hình. Galaxy Note 9 sẽ là một trong số những mẫu smartphone như vậy.


Nguyễn Minh (theo BGR)